El grabado iónico reactivo (RIE) es un proceso de grabado por plasma que agrega una carga a la pieza que se graba, lo que induce un componente direccional al proceso de grabado. Esta direccionalidad del grabado permite que los tamaños de las características de grabado sean significativamente más pequeños, por lo que se utilizan comúnmente en la industria de los semiconductores.
El grabado iónico reactivo (RIE) es un proceso de grabado por plasma que utiliza una carga para agregar un componente direccional al proceso de grabado. Este proceso de grabado iónico reactivo (RIE) produce una carga en la pieza. Cuando la pieza está cargada, el componente de grabado del plasma mantiene una carga opuesta, lo que da como resultado una colisión direccional del componente de grabado en la pieza. El grabado resultante es direccional, lo que permite un tamaño de características mucho más pequeño. El grabado iónico reactivo (RIE) también permite a los fabricantes grabar a mayor velocidad que los métodos de grabado tradicionales.
Control Cabinet:
W 560 mm H 560 mm D 420 mm
Chamber:
Ø 3.9 in, L 10.9 in
Chamber Volume:
2
Gas Supply:
1 gas channel via needle valve
Generator:
1 pc. with 40 kHz
(optional: 13.56 MHz or 2.45 GHz)
Control:
Semi-Automatic
Control Cabinet:
W 600 mm H 1700 mm D 800 mm
Chamber:
Ø 5.9 in, L 12.6 in
Chamber Volume:
5
Gas Supply:
Mass flow controllers
Generator:
1 pc. with 40 kHz
(optional: 13.56 MHz or 2.45 GHz)
Control:
PC
Control Cabinet:
W 600 mm H 1700 mm D 800 mm
Chamber:
W 15.8" x H 15.8" x D 24.6"
Chamber Volume:
100
Gas Supply:
Mass flow controllers
Generator:
1 pc. with 40 kHz
(optional: 13.56 MHz or 2.45 GHz)
Control:
PC
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