Operación de sistemas PECVD

PECVD es un método mejorado de deposición de vapor quí-mico

La deposición quí-mica en fase de vapor (CVD) es un proceso en el que una mezcla de gases reacciona para formar un producto sólido que se deposita como una capa sobre la superficie de un sustrato. Los tipos de recubrimientos que se pueden obtener mediante CVD son variados: recubrimientos aislantes, semiconductores, conductivos o superconductores; revestimientos hidrófilos o hidrófobos, capas ferroeléctricas o ferromagnéticas; revestimientos resistentes al calor, al desgaste, a la corrosión o al rayado; capas fotosensibles, etc. Se han desarrollado diferentes formas de realizar la ECV, que se diferencian por cómo se activa la reacción. En general, el CVD en todas sus formas consigue revestimientos superficiales muy homogéneos, especialmente útiles en piezas tridimensionales, incluso con intersticios o superficies irregulares de difí-cil acceso. Sin embargo, la deposición quí-mica en fase de vapor mejorada con plasma (PECVD) tiene la ventaja adicional sobre la CVD activada térmicamente porque puede funcionar a temperaturas más bajas.

Operation of PECVD Systems

Una forma muy eficaz de aplicar recubrimientos de plasma consiste en colocar las piezas de trabajo en la cámara de vací-o de un sistema PECVD donde la presión se reduce entre aproximadamente 0,1 y 0,5 milibares. Se introduce un flujo de gas en la cámara para depositarlo en la superficie y se aplica una descarga eléctrica para excitar los átomos o moléculas de la mezcla de gases. El resultado es un plasma cuyos componentes son mucho más reactivos que el estado gaseoso normal, lo que permite que se produzcan reacciones a temperaturas más bajas (entre 100 y 400°C), aumenta la velocidad de deposición y en algunos casos incluso aumenta la eficiencia de determinadas reacciones. El proceso continúa en el sistema PECVD hasta que el recubrimiento alcanza el espesor deseado y los subproductos de la reacción se extraen para mejorar la pureza del recubrimiento.