Deposición de vapor químico - Proceso de recubrimiento con plasma • CVD Mejorado con Plasma
La deposición quí-mica de vapor es un proceso de recubrimiento con plasma que Thierry puede realizar usando sus sistemas de plasma a baja presión. La deposición quí-mica de vapor (CVD), permite depositar capas extremadamente delgadas sobre una superficie. Esto se logra calentando la superficie a una temperatura elevada antes de canalizar un monómero en la cámara. El monómero deja un recubrimiento sobre cualquier material que el fabricante desee emplear. La CVD se emplea en el campo de los semiconductores para aplicar pelí-culas o recubrimientos muy delgados sobre superficies. Generalmente las superficies son recubiertas con capas de carbono, silicio, nanotubos de carbono, carburo de silicio o nitruro de silicio. La CVD también se puede emplear en la producción de diamantes sintéticos.
La Deposición de vapor quí-mico mejorada por plasma (PECVD) es una forma superior de CVD. En este proceso se emplea plasma para acelerar el proceso de recubrimiento de superficies. Los recubridores de plasma de Thierry son capaces de realizar CVD con relativa facilidad y no requieren que el objeto que se está tratando sufra tanto estrés térmico.
Para obtener más información sobre el uso del plasma en la fabricación, lea nuestro libro electrónico titulado "Guí-a de activación de superficies del fabricante para una mejor adherencia".
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